Модуль памяти Samsung 16GB DDR5 SODIMM 5600MHz, M425R2GA3BB0-CWM

Артикул: 155154
Партномер : M425R2GA3BB0-CWM
Гарантия: 12 мес.
Производитель: Samsung

О товаре

Форм-фактор: SODIMM, Стандарт памяти: DDR5, Объем одного модуля, ГБ: 16 ГБ, Количество модулей в комплекте, шт: 1 шт, Эффективная частота, МГц: 5600 МГц, Поддержка ECC: Нет, CAS Latency (CL): 40, Вид поставки: OEM

Смотреть характеристики Смотреть характеристики

Наличие

Мск: есть

Технические характеристики
Технические характеристики
Основные характеристики
- Тип
  Модуль памяти
- Серия
  M425
- Модель
  M425R2GA3BB0-CWM
- Назначение
  для ноутбуков
- Тип памяти
  Unbuffered
- Форм-фактор
  SODIMM
- Стандарт памяти
  DDR5
- Объем одного модуля, ГБ
  16
- Количество модулей в комплекте, шт
  1
- Суммарный объем, ГБ
  16
- Эффективная частота, МГц
  5600
- Пропускная способность, Мб/с
  44800
- Поддержка ECC
  Нет
- Низкопрофильная
  Нет
- Игровая (для геймеров)
  Нет
- Количество чипов на модуле, шт
  8
- Количество ранков
  1
- Количество контактов
  262
Тайминги
- CAS Latency (CL)
  40
- RAS to CAS Delay (tRCD)
  46
- Row Precharge Delay (tRP)
  46
Прочие характеристики
- Напряжение питания, В
  1.1
- Наличие радиатора
  Нет
- Подсветка
  Нет
- Ширина, мм
  69.6
- Высота, мм
  30
- Вид поставки
  OEM
- Комплект поставки
  Модуль памяти
Технические характеристики товара могут отличаться от указанных на сайте, уточняйте технические характеристики товара на момент покупки и оплаты. Вся информация на сайте о товарах носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Убедительно просим Вас при покупке проверять наличие желаемых функций и характеристик.

Технические характеристики

Основные характеристики

Тип
Модуль памяти
Серия
M425
Модель
M425R2GA3BB0-CWM
Назначение
для ноутбуков
Тип памяти
Unbuffered
Форм-фактор
SODIMM
Стандарт памяти
DDR5
Объем одного модуля, ГБ
16
Количество модулей в комплекте, шт
1
Суммарный объем, ГБ
16
Эффективная частота, МГц
5600
Пропускная способность, Мб/с
44800
Поддержка ECC
Нет
Низкопрофильная
Нет
Игровая (для геймеров)
Нет
Количество чипов на модуле, шт
8
Количество ранков
1
Количество контактов
262

Тайминги

CAS Latency (CL)
40
RAS to CAS Delay (tRCD)
46
Row Precharge Delay (tRP)
46

Прочие характеристики

Напряжение питания, В
1.1
Наличие радиатора
Нет
Подсветка
Нет
Ширина, мм
69.6
Высота, мм
30
Вид поставки
OEM
Комплект поставки
Модуль памяти

Технические характеристики товара могут отличаться от указанных на сайте, уточняйте технические характеристики товара на момент покупки и оплаты. Вся информация на сайте о товарах носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Убедительно просим Вас при покупке проверять наличие желаемых функций и характеристик.