Модуль памяти 8GB Samsung DDR5 5600 SO DIMM Laptop Non-ECC, CL46, 1.1V, 1Rx16, Bulk
- Артикул: 218160
- Партномер : M425R1GB4PB0-CWM
- Гарантия: 12 мес.
- Производитель: Samsung
- Мск: есть
-
Описание товара
Описание товара
Показать ещеСкрытьМодуль памяти Samsung 8GB DDR5 5600 SO DIMM Laptop Non-ECC
Увеличьте производительность вашего ноутбука с модулем памяти Samsung! Этот модуль — идеальное решение для тех, кто хочет ускорить работу своего устройства и справиться с многозадачностью.
Основные характеристики:
- объём: 8 ГБ;
- тип: DDR5;
- частота: 5600 МГц;
- форм-фактор: SO DIMM;
- для ноутбуков (Laptop);
- без коррекции ошибок (Non-ECC);
- CAS-латентность (CL): 46;
- напряжение: 1.1 В;
- конфигурация: 1Rx16;
- упаковка: Bulk.
С модулем памяти Samsung ваш ноутбук будет работать быстрее и эффективнее. Вы сможете одновременно запускать несколько приложений, работать с большими объёмами данных и наслаждаться плавным функционированием системы. Надёжность и качество Samsung — гарантия стабильной работы вашего устройства.
Технические характеристики товара могут отличаться от указанных на сайте, уточняйте технические характеристики товара на момент покупки и оплаты. Вся информация на сайте о товарах носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Убедительно просим Вас при покупке проверять наличие желаемых функций и характеристик.
-
Технические характеристики
Технические характеристики
Основные характеристики-
Тип
Модуль памяти
-
Модель
M425R1GB4PB0-CWM
-
Назначение
для ноутбуков
-
Тип памяти
Unbuffered
-
Форм-фактор
SODIMM
-
Стандарт памяти
DDR5
-
Объем одного модуля, ГБ
8
-
Количество модулей в комплекте, шт
1
-
Суммарный объем, ГБ
8
-
Эффективная частота, МГц
5600
-
Пропускная способность, Мб/с
44800
-
Поддержка ECC
Нет
-
Низкопрофильная
Нет
-
Игровая (для геймеров)
Нет
-
Количество чипов на модуле, шт
4
-
Количество ранков
1
-
Количество контактов
262
Тайминги-
CAS Latency (CL)
46
-
RAS to CAS Delay (tRCD)
46
-
Row Precharge Delay (tRP)
46
Прочие характеристики-
Напряжение питания, В
1.1
-
Наличие радиатора
Нет
-
Подсветка
Нет
-
Вид поставки
OEM
-
Комплект поставки
Модуль памяти
Технические характеристики товара могут отличаться от указанных на сайте, уточняйте технические характеристики товара на момент покупки и оплаты. Вся информация на сайте о товарах носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Убедительно просим Вас при покупке проверять наличие желаемых функций и характеристик.
-
Тип
Описание товара
Модуль памяти Samsung 8GB DDR5 5600 SO DIMM Laptop Non-ECC
Увеличьте производительность вашего ноутбука с модулем памяти Samsung! Этот модуль — идеальное решение для тех, кто хочет ускорить работу своего устройства и справиться с многозадачностью.
Основные характеристики:
- объём: 8 ГБ;
- тип: DDR5;
- частота: 5600 МГц;
- форм-фактор: SO DIMM;
- для ноутбуков (Laptop);
- без коррекции ошибок (Non-ECC);
- CAS-латентность (CL): 46;
- напряжение: 1.1 В;
- конфигурация: 1Rx16;
- упаковка: Bulk.
С модулем памяти Samsung ваш ноутбук будет работать быстрее и эффективнее. Вы сможете одновременно запускать несколько приложений, работать с большими объёмами данных и наслаждаться плавным функционированием системы. Надёжность и качество Samsung — гарантия стабильной работы вашего устройства.
Технические характеристики товара могут отличаться от указанных на сайте, уточняйте технические характеристики товара на момент покупки и оплаты. Вся информация на сайте о товарах носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Убедительно просим Вас при покупке проверять наличие желаемых функций и характеристик.
Технические характеристики
-
Тип
Модуль памяти
-
Модель
M425R1GB4PB0-CWM
-
Назначение
для ноутбуков
-
Тип памяти
Unbuffered
-
Форм-фактор
SODIMM
-
Стандарт памяти
DDR5
-
Объем одного модуля, ГБ
8
-
Количество модулей в комплекте, шт
1
-
Суммарный объем, ГБ
8
-
Эффективная частота, МГц
5600
-
Пропускная способность, Мб/с
44800
-
Поддержка ECC
Нет
-
Низкопрофильная
Нет
-
Игровая (для геймеров)
Нет
-
Количество чипов на модуле, шт
4
-
Количество ранков
1
-
Количество контактов
262
-
CAS Latency (CL)
46
-
RAS to CAS Delay (tRCD)
46
-
Row Precharge Delay (tRP)
46
-
Напряжение питания, В
1.1
-
Наличие радиатора
Нет
-
Подсветка
Нет
-
Вид поставки
OEM
-
Комплект поставки
Модуль памяти
Технические характеристики товара могут отличаться от указанных на сайте, уточняйте технические характеристики товара на момент покупки и оплаты. Вся информация на сайте о товарах носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Убедительно просим Вас при покупке проверять наличие желаемых функций и характеристик.
Связаться с нами
Оставьте обращение в форме ниже, и мы обязательно ответим вам
