Модуль памяти Kingston 4GB DDR3 1600 SODIMM KVR16S11S8/4WP Non-ECC, Unbuffered, CL11, 1.5V, 1Rx8, RTL (317305)
- Артикул: 78123
- Партномер : KVR16S11S8/4WP
- Гарантия: 12 мес.
- Производитель: Kingston
- Мск: есть
-
Описание товара
Описание товара
Показать ещеСкрытьМодуль памяти Kingston 4GB DDR3 1600 SODIMM KVR16S11S8/4WP — это модуль оперативной памяти для ноутбуков и других устройств с разъёмом SODIMM.
Основные характеристики:
- объём — 4 ГБ;
- тип — DDR3;
- частота — 1600 МГц;
- форм-фактор — SODIMM;
- пропускная способность — PC12800;
- тайминги — CL11;
- напряжение питания — 1,5 В;
- количество контактов — 204-pin;
- упаковка — RTL (пластиковый блистер).
Обратите внимание, что характеристики могут незначительно отличаться от указанных в зависимости от конкретной партии товара.
Перед покупкой рекомендуется проверить совместимость модуля с вашим устройством.
Технические характеристики товара могут отличаться от указанных на сайте, уточняйте технические характеристики товара на момент покупки и оплаты. Вся информация на сайте о товарах носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Убедительно просим Вас при покупке проверять наличие желаемых функций и характеристик.
-
Технические характеристики
Технические характеристики
Основные характеристики-
Тип
Модуль памяти
-
Серия
Value
-
Модель
KVR16S11S8/4WP
-
Назначение
для ноутбуков
-
Тип памяти
Unbuffered
-
Форм-фактор
SODIMM
-
Стандарт памяти
DDR3
-
Объем одного модуля, ГБ
4
-
Количество модулей в комплекте, шт
1
-
Суммарный объем, ГБ
4
-
Эффективная частота, МГц
1600
-
Пропускная способность, Мб/с
12800
-
Поддержка ECC
Нет
-
Низкопрофильная
Нет
-
Игровая (для геймеров)
Нет
-
Количество чипов на модуле, шт
8
-
Количество ранков
1
-
Количество контактов
204
Тайминги-
CAS Latency (CL)
11
-
RAS to CAS Delay (tRCD)
11
-
Row Precharge Delay (tRP)
11
-
Activate to Precharge Delay (tRAS)
27
Прочие характеристики-
Напряжение питания, В
1.5
-
Максимальная потребляемая мощность, Вт
2.1
-
Нормальная операционная температура, °C
85
-
Расширенная операционная температура, °C
95
-
Наличие радиатора
Нет
-
Подсветка
Нет
-
Ширина, мм
69.6
-
Высота, мм
30
-
Вид поставки
RTL
-
Комплект поставки
Модуль памяти, документация
Технические характеристики товара могут отличаться от указанных на сайте, уточняйте технические характеристики товара на момент покупки и оплаты. Вся информация на сайте о товарах носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Убедительно просим Вас при покупке проверять наличие желаемых функций и характеристик.
-
Тип
Описание товара
Модуль памяти Kingston 4GB DDR3 1600 SODIMM KVR16S11S8/4WP — это модуль оперативной памяти для ноутбуков и других устройств с разъёмом SODIMM.
Основные характеристики:
- объём — 4 ГБ;
- тип — DDR3;
- частота — 1600 МГц;
- форм-фактор — SODIMM;
- пропускная способность — PC12800;
- тайминги — CL11;
- напряжение питания — 1,5 В;
- количество контактов — 204-pin;
- упаковка — RTL (пластиковый блистер).
Обратите внимание, что характеристики могут незначительно отличаться от указанных в зависимости от конкретной партии товара.
Перед покупкой рекомендуется проверить совместимость модуля с вашим устройством.
Технические характеристики товара могут отличаться от указанных на сайте, уточняйте технические характеристики товара на момент покупки и оплаты. Вся информация на сайте о товарах носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Убедительно просим Вас при покупке проверять наличие желаемых функций и характеристик.
Технические характеристики
-
Тип
Модуль памяти
-
Серия
Value
-
Модель
KVR16S11S8/4WP
-
Назначение
для ноутбуков
-
Тип памяти
Unbuffered
-
Форм-фактор
SODIMM
-
Стандарт памяти
DDR3
-
Объем одного модуля, ГБ
4
-
Количество модулей в комплекте, шт
1
-
Суммарный объем, ГБ
4
-
Эффективная частота, МГц
1600
-
Пропускная способность, Мб/с
12800
-
Поддержка ECC
Нет
-
Низкопрофильная
Нет
-
Игровая (для геймеров)
Нет
-
Количество чипов на модуле, шт
8
-
Количество ранков
1
-
Количество контактов
204
-
CAS Latency (CL)
11
-
RAS to CAS Delay (tRCD)
11
-
Row Precharge Delay (tRP)
11
-
Activate to Precharge Delay (tRAS)
27
-
Напряжение питания, В
1.5
-
Максимальная потребляемая мощность, Вт
2.1
-
Нормальная операционная температура, °C
85
-
Расширенная операционная температура, °C
95
-
Наличие радиатора
Нет
-
Подсветка
Нет
-
Ширина, мм
69.6
-
Высота, мм
30
-
Вид поставки
RTL
-
Комплект поставки
Модуль памяти, документация
Технические характеристики товара могут отличаться от указанных на сайте, уточняйте технические характеристики товара на момент покупки и оплаты. Вся информация на сайте о товарах носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Убедительно просим Вас при покупке проверять наличие желаемых функций и характеристик.
Связаться с нами
Оставьте обращение в форме ниже, и мы обязательно ответим вам
