Модуль памяти Apacer AS04GGB26CQWBGH 4GB DDR4 2666 SO DIMM ES.04G2V.LNH Non-ECC, CL19, 1.2V, , 2R, 256x16, RTL
- Артикул: 59619
- Партномер : ES.04G2V.LNH
- Гарантия: 36 мес.
- Производитель: Apacer
- Мск: нет
Вы можете подписаться на товар - когда он появится на складе, мы отправим Вам уведомление на email.
-
Описание товара
Описание товара
Показать ещеСкрытьApacer AS04GGB26CQWBGH 4GB DDR4 2666 SO DIMM ES.04G2V.LNH — это модуль оперативной памяти, который предназначен для использования в ноутбуках и других устройствах с разъёмом SO-DIMM.
Основные характеристики:
- объём памяти — 4 ГБ;
- тип памяти — DDR4;
- тактовая частота — 2666 МГц;
- тайминги — CL19;
- напряжение питания — 1,2 В.
Модуль не поддерживает коррекцию ошибок (Non-ECC), имеет ранг x2 (2R) и конфигурацию чипов 256x16.
Эта модель может быть хорошим выбором для обновления или расширения оперативной памяти ноутбука или другого устройства с поддержкой DDR4. Перед покупкой рекомендуется проверить совместимость модуля с вашей системой.
Технические характеристики товара могут отличаться от указанных на сайте, уточняйте технические характеристики товара на момент покупки и оплаты. Вся информация на сайте о товарах носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Убедительно просим Вас при покупке проверять наличие желаемых функций и характеристик.
-
Технические характеристики
Технические характеристики
Основные характеристики-
Тип
Модуль памяти
-
Модель
ES.04G2V.LNH
-
Назначение
для ноутбуков
-
Тип памяти
Unbuffered
-
Форм-фактор
SODIMM
-
Стандарт памяти
DDR4
-
Объем одного модуля, ГБ
4
-
Количество модулей в комплекте, шт
1
-
Суммарный объем, ГБ
4
-
Эффективная частота, МГц
2666
-
Пропускная способность, Мб/с
21300
-
Поддержка ECC
Нет
-
Низкопрофильная
Нет
-
Игровая (для геймеров)
Нет
-
Количество чипов на модуле, шт
8
-
Количество контактов
260
Тайминги-
CAS Latency (CL)
19
-
RAS to CAS Delay (tRCD)
19
-
Row Precharge Delay (tRP)
19
-
Activate to Precharge Delay (tRAS)
40
Прочие характеристики-
Напряжение питания, В
1.2
-
Нормальная операционная температура, °C
85
-
Расширенная операционная температура, °C
95
-
Наличие радиатора
Нет
-
Подсветка
Нет
-
Ширина, мм
69.6
-
Высота, мм
30
-
Вид поставки
RTL
-
Комплект поставки
Модуль памяти, документация
Технические характеристики товара могут отличаться от указанных на сайте, уточняйте технические характеристики товара на момент покупки и оплаты. Вся информация на сайте о товарах носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Убедительно просим Вас при покупке проверять наличие желаемых функций и характеристик.
-
Тип
Описание товара
Apacer AS04GGB26CQWBGH 4GB DDR4 2666 SO DIMM ES.04G2V.LNH — это модуль оперативной памяти, который предназначен для использования в ноутбуках и других устройствах с разъёмом SO-DIMM.
Основные характеристики:
- объём памяти — 4 ГБ;
- тип памяти — DDR4;
- тактовая частота — 2666 МГц;
- тайминги — CL19;
- напряжение питания — 1,2 В.
Модуль не поддерживает коррекцию ошибок (Non-ECC), имеет ранг x2 (2R) и конфигурацию чипов 256x16.
Эта модель может быть хорошим выбором для обновления или расширения оперативной памяти ноутбука или другого устройства с поддержкой DDR4. Перед покупкой рекомендуется проверить совместимость модуля с вашей системой.
Технические характеристики товара могут отличаться от указанных на сайте, уточняйте технические характеристики товара на момент покупки и оплаты. Вся информация на сайте о товарах носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Убедительно просим Вас при покупке проверять наличие желаемых функций и характеристик.
Технические характеристики
-
Тип
Модуль памяти
-
Модель
ES.04G2V.LNH
-
Назначение
для ноутбуков
-
Тип памяти
Unbuffered
-
Форм-фактор
SODIMM
-
Стандарт памяти
DDR4
-
Объем одного модуля, ГБ
4
-
Количество модулей в комплекте, шт
1
-
Суммарный объем, ГБ
4
-
Эффективная частота, МГц
2666
-
Пропускная способность, Мб/с
21300
-
Поддержка ECC
Нет
-
Низкопрофильная
Нет
-
Игровая (для геймеров)
Нет
-
Количество чипов на модуле, шт
8
-
Количество контактов
260
-
CAS Latency (CL)
19
-
RAS to CAS Delay (tRCD)
19
-
Row Precharge Delay (tRP)
19
-
Activate to Precharge Delay (tRAS)
40
-
Напряжение питания, В
1.2
-
Нормальная операционная температура, °C
85
-
Расширенная операционная температура, °C
95
-
Наличие радиатора
Нет
-
Подсветка
Нет
-
Ширина, мм
69.6
-
Высота, мм
30
-
Вид поставки
RTL
-
Комплект поставки
Модуль памяти, документация
Технические характеристики товара могут отличаться от указанных на сайте, уточняйте технические характеристики товара на момент покупки и оплаты. Вся информация на сайте о товарах носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Убедительно просим Вас при покупке проверять наличие желаемых функций и характеристик.
Связаться с нами
Оставьте обращение в форме ниже, и мы обязательно ответим вам
